BYTE
Samsung Kembangkan Memori dari Cip 3D

JAKARTA - Samsung Electronics mengembangkan memori dual inline modul dengan Green DDR3 DRAM berkapasitas 8 gigabita. Memori ini diklaim berkinerja unggul karena menggunakan cip tiga dimensi.

Samsung menyebut teknologi memori itu dengan nama Trough Silicon Via (TSV). Senior Vice President Chang Hyun Kim mengatakan memori ini berfitur daya 40nm RDIMM. Ia diklaim sebagai server dan penyimpanan yang lebih ramah lingkungan.

"Kami berusaha menghadirkan

Berlangganan untuk lanjutkan membaca.
Kami mengemas berita, dengan cerita.

Manfaat berlangganan Tempo Digital? Lihat Disini

PILIHAN TERBAIK

Rp 54.945/Bulan

Aktif langsung 12 bulan, Rp 659.340

• *Anda hemat -Rp 102.000
• *Dijamin update hingga 52 edisi Majalah Tempo

Berlangganan

Rp 64.380/Bulan

Aktif setiap bulan, batalkan kapan saja

• *GRATIS untuk bulan pertama jika menggunakan Kartu Kredit

Berlangganan

Lihat Paket Lainnya