SEOUL -- Samsung Electronics mengatakan telah berhasil mengembangkan cip memori DRAM (dynamic random access memory) berkapasitas 1 gigabita yang pertama, untuk perangkat mobile. Cip baru itu setidaknya 20 persen lebih tipis dari chipset yang beredar di pasar saat ini karena dibuat dengan teknologi proses 80 nanometer.

Selain itu, perusahaan elektronik nomor satu Korea itu mengklaim cip barunya itu hanya menghabiskan energi yang kecil, irit 30 per